1. 开关电源适配器电压基准按工作原理划分

（1）并联基准

并联基准( Shunt Reference)如图2-56所示｡并联基准与负载是并联的,基准电压Uref=Uin-

lf×Rs=Uin-(Iq+Il)×Rs,当输入电压Uin或负载电流I发生产化时,这类基准通过调节l来保持U的稳定｡并联基准只有两个引脚,价格较便宜,较适用于负载电流变化不大的场合;缺点是功耗相对较大,输入电压调整率不太理想,常见的并联基准型号有LM358,AD589等。

  (2)串联基准

  串联基准( Series Referenee)如图2-57所示｡串联基准与负载是串联的,基准电压Uref=Uin-lf×Rs=Uin-(Iq+Il)×Rs｡由于lq很小且基本保持恒定,故当U.或l发生变化时,串联基准通过调节内部R的阻值来保持U的稳定｡串联基准通常有3个引脚,输人､输出压差和l｡可做得较小,故更适用于电池供电的场合,常见的串联基准型号有AD581、REF192等.

6V电源适配器电压基准按工艺技术划分

(1) 齐纳基准

齐纳基准( Zener Reference)的优点是成本低,小封装,工作电压范围宽;缺点是功耗大,初始精度低,温度系数大,输入电压调整率不好,使用时需根据供电电压和负载电流串接一个电阻为其提供一定的电流,以便保持输出电压稳定,齐纳基准通常用于要求不高的场合,或用做电压帽位器。

(2) 掩埋齐纳基准

掩埋齐纳基准( Buried Zener Reference)具有很高的初始精度,小的温度系数和好的长期漂移稳定性,噪声电压低,总体性能优于其他类型的基准,故常用于12位或更高分辨率的系统中,掩理齐纳基准通常要求5V以上的供电电压,并要消耗几百微安的电流,价格较昂贵。

(3) 带隙基准

带隙基准( Bandgap Reference)的初始精度､温度系数､长期漂移､嗓声电压等性能指标从低到高覆盖面较宽,较适用于8~10位精度的系统中｡该类基准既有为通常目的设计的类型也有静态电流小至几十微安,输入､输出电压差较低面适用于电池供电场合的产品,因面应用范围很宽｡综合来看,带隙基准性能良好,价格适中,是性价比最高的电压基准。

 (4)XFET基准

  XFET是一种新型的电压基准,它的性能水平介于带隙和齐纳基准之间,静态电流很小可用于3V电压系统,并且仍能保持良好的性能,XFET基准有3个显著的特点:其一是在相同的工作电流条件下,它的峰一峰值噪声电压通常比带隙基准低数倍;其二是XFET基准在工业级温度范围内具有十分平坦或线性的温度系数曲线,而带隙和齐纳基准的温度系数曲线在温度范围两端常是非线性的,这种非线性不便于通过软件来加以修正;其三是XFET基准具有极好的长期漂移稳定性。